AdMOS ist Partner im europäischen Forschungsprojekt Move2THz, das sich der Entwicklung einer neuen Generation hochfrequenter Halbleiter (HEMTs und HBTs) auf Basis von Indiumphosphid (InP) widmet. Ziel des Projekts ist der Aufbau eines europäischen Ökosystems für die Herstellung und Integration von InP-on-Silicon-Wafern – eine Schlüsseltechnologie für zukünftige Anwendungen in der 6G-Kommunikation, Photonik und Künstlichen Intelligenz.

Als Mitglied des 27 Partner starken Konsortiums bringt AdMOS seine langjährige Expertise in die Modellierung und Simulation elektronischer Bauelemente ein. Unser Schwerpunkt liegt auf der Entwicklung präziser SPICE-Modelle und der simulationsgestützten Bewertung von InP-basierten Hochfrequenzkomponenten. Diese Arbeiten leisten einen zentralen Beitrag zur Verlässlichkeit und Integration der neuen Technologie in komplexe Systemumgebungen.

Move2THz wird im Rahmen des europäischen Chips Act gefördert und zielt darauf ab, die technologische Souveränität Europas im Bereich Hochfrequenz-Halbleiter langfristig zu sichern. Für AdMOS bedeutet die Beteiligung an diesem Projekt eine strategische Erweiterung unseres Engagements in der europäischen Spitzenforschung – mit direktem Bezug zu zukünftigen Märkten und Anwendungen